DMN2013UFDE-7
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | DMN2013UFDE-7 |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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3000+ | $0.1858 |
6000+ | $0.1738 |
15000+ | $0.1619 |
30000+ | $0.1535 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | U-DFN2020-6 (Type E) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 660mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 6-PowerUDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2453 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.8 nC @ 8 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10.5A (Ta) |
Grundproduktnummer | DMN2013 |
DMN2013UFDE-7 Einzelheiten PDF [English] | DMN2013UFDE-7 PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DMN2013UFDE-7Diodes Incorporated |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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